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异原子的存在不仅提供了氧化还原赝电容，区域还有助于抑制碳材料表面含氧官能团在充电和放电过程中的不可逆变化。然而，备用报量报值得一提的是，备用报量报不同的掺杂方式（原位掺杂和异原子的后处理掺杂）和不同的掺杂前驱体对两种3-D石墨烯结构（3-D石墨烯泡沫和粉末）有不同的影响。

BNP-C呈现三维网络结构、辅助服务发布分层多孔结构、1118.5m2 g-1的大比表面积以及C、N、B和P元素的均匀分布（见图8E）。由于B与碳键的距离比单碳键更小（B的原子半径为82pm），市场市场因此石墨烯层可能会在低B浓度下弯曲。同时，运营系统总结和比较了掺杂不同单掺杂元素(如N、运营S、B、P)和多掺杂元素(包括双掺杂和三元掺杂元素)的三维石墨烯材料(包括三维泡沫和粉末材料)的电容性能。

具有微孔和介孔结构的分级多孔三维石墨烯具有更大的比表面积、规则更高的边缘活性和更好的电容性能。这种受阻效应对于通过模板辅助组装或Q-CVD方法制备3-D石墨烯粉末更为显着，卖方因为它们的模板多为纳米结构粉末，其空间易受外界影响干扰。

本文系统综述了异原子掺杂三维石墨烯材料的制备方法及其在超级电容器中的应用，西北包括异原子掺杂石墨烯的制备方法、西北三维石墨烯材料的制备方法，以及单掺杂、双掺杂和三掺杂石墨烯在超级电容器中的设计原理和案例分析。

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